看完了外观设计，接下来让我们对Redmi Note 9 Pro的“内涵”来一探究竟。
Redmi Note 9 Pro此次在国内首发了高通前不久刚刚推出的中端5G新平台——骁龙750G。正如大家所见，其CPU部分由2.2GHz的两枚A77大核与1.8GHz的六枚A55小核组成。如果大家对高通近年来的产品线略知一二就会意识到，其实上代中端“神U”骁龙765G相对上上代的骁龙730G相比，大核心架构（A76）其实并未更新。而这也就意味着，尽管型号上的数字看起来要小一点，但实际上骁龙750G却反而成为了当前高通旗下主控中CPU架构最先进的中高端平台。
这意味着什么？首先得益于A77架构的高性能，即便大核的主频只有2.2GHz，但Redmi Note 9 Pro所使用的骁龙750G的单核性能，已经超过了最高主频达2.8GHz的骁龙855（A76架构），比上代机型Note 8 Pro搭载的联发科Helio G90T，单核性能足足高了近50%。与此同时，骁龙750G的多核性能也已经超过了经典旗舰主控骁龙845，更远远地将上代中端平台甩在了身后。
安兔兔评测
3DMARK Wildlife
在安兔兔评测中，Redmi Note 9 Pro同样完成了对早期5G中端平台的“压制”，其34万8千多分的成绩稳稳压倒了骁龙765G和天玑720，基本达到了骁龙768G的水准。同时，在3DAMRK的最新测试项目Wildlife里，骁龙750G也是和骁龙765G打得”有来有回”，不分胜负。不难看出，有了新架构的加持，骁龙750G果然具备了成为新一代“神U”的潜质。
不过对于Redmi Note 9 Pro来说，高性能的奥秘其实并不仅仅在于新主控。因为除了骁龙750G之外，Redmi Note 9 Pro这一次还首发了新的UFS 2.2闪存规范。
众所周知，目前行业最快的闪存规范是UFS 3.1，但那是只有少数顶级旗舰芯片才能支持的技术，而对于中端主控来说，就算强行装上UFS 3.1闪存，因为芯片本身不兼容，也只能降速工作在UFS 2.1或者2.0模式下。在这样的前提下，引入了UFS 3.1的写入加速技术，同时对中端SoC兼容性更好的UFS 2.2闪存，就成为了同级别中性能最好的选择。从AndroBench与安兔兔的测试结果来看，Redmi Note 9 Pro上使用的UFS 2.2闪存，已经可以达到近500MB/s的写入和1000MB/s的读取速度。换句话说，即便未来5G网络的带宽提升到现在的四倍，其磁盘性能也足以应对当时的满速下载需求了。
