既然现阶段手机CMOS受到体积和成本的限制，本身完全不可能做到“大底”，那么它们为什么拍照性能还是在进步，甚至比过去的某些“大底”手机更强呢？这里面有着复杂的因素——传感器结构、数据传输带宽、图像处理器（ISP）性能的进步、合成算法的优化等等都起到了作用。但如果只挑出属于CMOS传感器的“解决之道”的话，那么基本上可以概括为两条：背照式结构、以及由高数据带宽所支撑的多帧合成算法。
背照式结构，全称“背面照射式CMOS”，英文缩写是BSI，Exmor R则是SONY专属的商品名称——其他厂出的背照式CMOS并不能用这个名字，不要搞错了喔。
从日推网友的技术讨论帖上，笔者找到了对背照式CMOS结构的一张解析图，以便大家能够直观地理解。简单来说，所谓“背照”，就是将原本布置在半导体感光层正面的电路，移到了感光层背面，这样一来，感光层没有了电路层遮挡，所接受到的入射光量就大大增加了，从而在不改变像素尺寸的基础上，增加了单个像素的感光能力。
那什么是积层式呢？由于SONY给积层式感光元件取了个Exmor RS的商品名，很多人以为积层式是背照式的“下一代”——其实不然。积层式并没有改变感光件本身的结构，它指的是电路板的设计——将原本排列在感光元件（CMOS）周围的其他辅助电路和芯片，“堆”到CMOS下面的电路板上去。
这样一来，积层式的好处就在于，它在电路板面积有限的前提下，可以作出更大的CMOS面积。但是，如果一个CMOS的面积已经被固定下来了，那么背照式和积层式区别的就只是整块电路板是“更宽扁”还是“更高挑”——对于CMOS本身性能是没有影响的。这也是为什么在单反等CMOS面积被规定好，而整机体积也完全够用的机器上，我们最多能看到背照式，看不到积层式CMOS的原因。
