还有不到两个月的时间，安卓阵营就将迎来新一批旗舰SoC的亮相。
目前已经曝光的信息显示，这些新款旗舰将换用全新的台积电2nm半导体制程，会有新的计算和图形架构，还搭配全新的LPDDR6内存与UFS5.0闪存。虽然它们的价格可能很高，但性能也会有突飞猛进式的提升。
但真的就绝对如此吗？
最近我们三易生活关注到了一些关于下代手机闪存的技术细节，并且似乎暗示了更令人不安的未来。
下代旗舰机，只有512GB或1TB可选？
简单来说，三星与铠侠前段时间都公布了UFS5.0闪存出货的消息。这标志着下一代旗舰手机大概率已经开始量产，且首批产品里就会有用上最新闪存标准的“性能新王”。
但大家先别高兴得太早，因为从目前几家头部闪存厂商公布的信息来看，目前出货的UFS5.0芯片有且只有512GB和1TB两种规格。
很显然，从现阶段的手机价格来看，如果UFS5.0闪存不再推出256GB型号，那么这就意味着旗舰新机的起步价格会被进一步推高。这无论是对于上游的闪存厂商，还是下游的终端设备品牌来说，显然都是不利的。
更小容量的UFS5.0，是真造不出来
那么，是闪存厂商不愿意去做容量更小的UFS5.0芯片吗？如果问AI这个问题，会得到否定的回答。因为UFS5.0标准本身并没有限制容量下限，所以只要有利可图，厂商没理由不做价格更便宜的规格。
但这里其实有一个很客观的限制，那就是现阶段的主流闪存方案“单Die容量太大，但速度却不够快”。以铠侠BiCS8闪存为例（这是目前公认最好的消费级闪存之一），它的单Die最小容量是128GB，可提供大约3200MB/s的理论顺序读写性能（请注意，只是理论性能）。也就是说，要做256GB的成品芯片，只需要两层闪存堆叠就行。此时的理论读写带宽为6400MB/s，受功耗、主控性能、固件优化制约，实际上最多大概能跑到3000-4000MB/s的水准。
但是UFS5.0闪存芯片的标称典型带宽，高达10000MB/s以上。换句话说，即便用最新最强的主流颗粒，256GB的UFS5.0芯片大概率也只能跑出UFS4.0的速度，属于严重货不对版。所以哪个厂商敢做，几乎就纯属是自取其辱了。
当然，可能有的朋友会认为，拿最新制程的高密度闪存当然会存在堆叠层数太少的问题，如果用库存的小容量老颗粒，不就能在256GB的容量下推出足够多的堆叠层数，让最终的持续读写“合格”了吗？
但这其实有两个问题。其一，是闪存堆叠只增加持续性能、不增加随机性能。其次，就是有没有可能闪存颗粒越新才越便宜？拿小容量的老颗粒强行堆叠256GB UFS5.0，不仅实际的小文件读写性能不行，价格恐怕会比512GB、甚至1TB的新颗粒更贵，根本就不会有终端厂商敢用。
照这么说，下代旗舰机会更贵了？
其实，这才是我们三易生活要提醒大家的重点。
一方面，如果厂商未来使用的确实是“正经”UFS5.0闪存，那么它可能起步就是512GB，肯定不会便宜。
与此同时，这也会让花了这份预算的用户感受到什么叫做日常使用秒开，什么是你都进游戏了、别人都还在读条。毕竟SoC、内存再怎么进步，也不可能直接换代就性能翻倍。但UFS5.0是真的与UFS4.x有两倍性能差，对手机的流畅度提升效果会变得非常非常明显。
另一方面，这就无法避免一种情况。那就是如果有厂商既想将UFS5.0作为宣传的噱头，又想提供更小的起步容量来降低名义上的售价门槛，他们就只能选择混用不同规格的闪存。也就是在256GB版本里采用性能只有高配版一半的UFS4.x方案，只在512GB和1TB版本里用“满血版”的UFS5.0。
当然，只要价格合适，而且厂商有明确说明，这本身也无伤大雅。毕竟丰俭由人，买缩水版还是上满血性能都是消费者的自由。但怕就怕厂商说得不清不楚，消费者也没有去了解产品的详情，最终抱着期望买回入门款，自以为捡了便宜，实际却达不到预期，这就多少有点滑稽了。
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