近日，著名拆机网站ifixit.com完成了苹果新旗舰iPhone 7系列的拆解，拆解过程显示他们拆解的这台iPhone 7 Plus 128GB版本采用了东芝的TLC闪存芯片。ifixit.com的拆解的第15步显示，他们拆解的iPhone 7 Plus采用了一颗编号为THGBX6T0T8LLFXF的东芝闪存（NAND）芯片。根据网上一份2010年的东芝NAND部件代码的解释，其中T0表示1Tbits = 128GB，而T0之后的T表示8 Level(3 bits/cell)，即闪存类型为TLC。
iPhone 6发布的时候，显示部分64GB和128GB版本采用了TLC，由于TLC可能存在的掉速和较低的P/E值，引起一些争论。此代iPhone 7的容量跨度更大，128GB和256GB的闪存此前就有很多人认为很有可能会部分采用TLC，这次的拆解证实了他们的疑虑。
MLC闪存在读取寿命和稳定性上相比TLC芯片有着更高的可靠性，在此前的技术文档和使用测试中，MLC的读写成绩能够达到TLC的三倍以上，最多能到十几倍，这种寿命差别使得很多用户对于TLC非常不待见。不过随着闪存芯片制程的降低和3D NAND技术的引入，MLC的优势和TLC的一些问题可能已经有所改观。
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