9月17日消息，此前我们报道了代工厂GlobalFoundries将要与AMD签订五年晶圆供应合约共同开发7nm工艺，今天官方宣布了7nm FinFET半导体工艺规划，面向数据中心、网络、高级移动处理器、深度学习等领域。
AMD也已经和GF首次签署了为期五年的晶圆供应协议，将共同进军7nm。GF表示，7nm FinFET工艺将使用行业标准的FinFET晶体管架构和光刻技术。
GF目前的主力性能工艺是14nm FinFET，但此前就披露下一步将跳过行业流行的10nm而直奔7nm，因为GF认为10nm和之前的20nm一样只是过渡工艺，7nm才是下一个高性能节点。
GF 14nm FinFET工艺目前正在美国纽约州的Fab 8工厂内量产，并将为7nm FinFET工艺的开发和生产，继续投资几十亿美元。
GF宣称，7nm FinFET工艺相比有目前的16/14nm FinFET，电路集成密度可以增加超过1倍，性能则可以提升30％。GF 7nm已经开始内部测试，预计2017年下半年开始接受客户产品设计，2018年初投入试产。
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