固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量一直都是个问题，虽然现在固态硬盘的价格有所下降，但是一般的消费者还是不愿为之买单。
受制于芯片体积，想要在有限空间内容纳更多的存储单元越来越难，除了不断提高制程之外，就需要在单位面积内能放进更多的存储单元。英特尔使用3D NAND技术，通过垂直堆叠多层数据储存单元的方式打造出储存容量比同类的NAND高达三倍的储存设备。
另外，三星在3D NAND闪存上量产时间最早、产能也最高，而目前东芝和西数也开始生产采用3D NAND技术的闪存，并且已经发展出64层堆栈的BiCS 3D闪存。目前核心容量256Gb（32GB），未来还会推出容量高达512Gb的产品。东芝表示，采用64层堆栈的3D NAND闪存单位面积容量增加40%，每片晶圆所能生产的NAND容量也变大了，而成本也随之降低。
预计新的闪存芯片在2017年上半年可以正式量产，届时或许能用更低的价钱买到容量更大的固态硬盘。
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